EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
LK-AMPD-S Szybki wzmacniany mikrofalowy fotodetektor InGaAs
- Wysoka prędkość, szeroka przepustowość
- Wbudowany Bias-T
- Zintegrowany hybrydowy O/E
- Wysokie wzmocnienie, niski poziom szumów, szerokopasmowy
- Hermetycznie uszczelnione złącze SMA
- Niski prąd ciemny, wysoki stosunek sygnału do szumu.
- Mały rozmiar.
Opis produktu*
LK-AMPD-S to hybryda fotodiody InGaAs i wzmacniacza niskoszumowego, zaprojektowana dla szerokiej odpowiedzi optycznej od 1000 do 1650 nm i oferująca wzmocnienie RF 15 dB. Zapewnia wysoką prędkość transmisji z szerokością pasma 12 GHz i 18 GHz i jest zasilana napięciem +5 V.
Moduł ten jest kompatybilny ze standardowym światłowodem jednomodowym 9/125μm i posiada złącze SMA o dopasowaniu impedancji 50 omów.
LK-AMPD-S jest hermetycznie zamknięty w celu ochrony środowiska i ma lekką konstrukcję, o masie mniejszej niż 23 gramy. Jest zgodny z dyrektywą Restriction of Hazardous Substances (RoHS) 2.0, zapewniając zrównoważony rozwój środowiska i przestrzeganie rygorystycznych norm bezpieczeństwa.
Specyfikacja techniczna
| Typowa i absolutna maksymalna ocena | ||||
|---|---|---|---|---|
| Parametr | Sym. | Typ | Ocena | Jednostka |
| Zakres temperatur przechowywania | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Zakres temperatur pracy obudowy | TC | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
| Napięcie odchylenia | VR | +5 | +5 ～ +9 | V |
| Optyczna moc wejściowa | Pin | 0 | + 10 | dBm |
| Wypalanie mocy optycznej | PB | - | + 13 | dBm |
| Temperatura lutowania ołowiem | Tp | 280（10 s） | 330（10 s） | ℃ |
| Parametry elektryczne / optyczne (TC = 22 ± 3 ℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Parametr | sym | Stan testu | Wartości parametrów | Jednostka | ||
| Zakres długości fali | λ | - | 1000 ～ 1650 | nm | ||
| Zakres częstotliwości | - | - | X - Zespół | Ku - zespół | - | |
| Mała szerokość pasma sygnału | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0 ～ 3 | 0 ～ 8 | GHz | |
| Odpowiedzialność | Re | VR =+5V, Pin =10mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| Płaskość amplitudy | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| Moc optyczna nasycenia | Ps | VR =+ 5 V, λ = 1550 nm Modulacja prądu przemiennego |
10 | dBm | ||
| Wzmocnienie sygnału RF (typowe) | G | - | 15 ± 1 | dB | ||
| Moc wyjściowa RF nasycenia | Pna zewnątrz | - | +3 | dBm | ||
| Wyjście VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | - | ||
| Impedancja wyjściowa | RL | - | 50 | Ω | ||
● Typowe krzywe odpowiedzi
（ Rys. 1 Odpowiedź częstotliwościowa fotodetektora pasma X）
（ Rys. 2 Częstotliwość odpowiedzi fotodetektora pasma Ku）
●Wymiary i kołki (jednostka: mm[ cal])
Złącze RF: SMA
●Informacje dotyczące zamawiania
Arkusz 1:
| Code | Wzmocnienie sygnału RF | Uwaga |
| S | 15 dB | Typowa i środkowa częstotliwość |
Arkusz 2:
| Code | Przepustowość analogowa |
| X | 0 ～ 3 GHz |
| Ku | 0 ～ 8 GHz |
Arkusz 3:
| Code | Typ złącza | Uwaga |
| N | Brak złącza | Pigtail światłowodowy jednomodowy 9 / 125 μm |
| A | FC / APC | |
| P | FC / PC |
● Środki ostrożności
Promień gięcia włókna nie mniejszy niż 20 mm, aby uniknąć uszkodzenia włókna.
Przed podłączeniem światłowodu do układu optycznego należy upewnić się, że powierzchnia styku światłowodu jest czysta.
Podczas przechowywania, transportu i użytkowania wymagana jest odpowiednia ochrona ESD.
Wszystkie nasze standardowe fotodetektory można dostosować do modułów!
Zastosowania
Przetwarzanie informacji radarowych
Elektroniczna wojna
Pomiar anteny
Komunikacja światłowodowa
Bezpieczeństwo i nadzór
